SUNX松下光電傳感器，使用環(huán)境影響

受光元件 CMOS圖形傳感器

電源電壓 12V～24V DC±10%　脈動(dòng)P-P10%

短路保護 配備(自動(dòng)恢復)

模擬輸出 電壓 ?輸出范圍：0V~5V(報警時(shí)：+5.2V)

?輸出阻抗：100Ω

電流 ?輸出范圍：4mA~20mA(報警時(shí)：0mA)

?負載阻抗：300Ω大

反應時(shí)間 1.5ms/5ms/10ms 可切換

〈PNP輸出型〉

PNP開(kāi)路集電極晶體管

外部輸入 〈NPN輸出型〉

NPN無(wú)接點(diǎn)輸入

?輸入條件

無(wú)效：＋8V～＋V DC或者開(kāi)放

? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）

有效：0V～＋1.2V DC

?輸入阻抗：約10kΩ

<PNP輸出型>

PNP無(wú)接點(diǎn)輸入

?輸入條件

無(wú)效：0V～＋0.6V DC或者開(kāi)放

有效：＋4～＋V DC

? 輸入阻抗：約10kΩ

保護構造 IP67(IEC)

污染度 2

使用環(huán)境濕度 35%RH～85%RH、存儲時(shí)：35%RH～85%RH

電纜 0.2mm2 5芯復合電纜長(cháng)2m

材質(zhì) 本體外殼：鋁鑄件 前面蓋板：丙烯基

重量 約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)

適用規格 符合EMC指令

(注1): 未測量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環(huán)境溫度：+20℃、反應時(shí)間：10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。

(注2): 該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光，并且 檢測點(diǎn)范圍有高于? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）

消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))

控制輸出 〈NPN輸出型〉

NPN開(kāi)路集電極晶體管

? 大流入電流：50mA

使用環(huán)境溫度 －10℃～＋45℃（注意不可結露、結冰）、存儲時(shí)：－20℃～＋60℃

? 漏電流：0.1mA以下

檢測點(diǎn)本身的強反射，檢測結果可能會(huì )受到影響。

(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。

如果定義區域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強反射，測定結果可能會(huì )受到影響。

? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）

? 大源電流：50mA

使用環(huán)境照度 白熾燈：受光面照度3,000 lx以下

使用標高 2,000m以下

? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）

? 漏電流：0.1mA以下

輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON　可切換

SUNX松下光電傳感器，使用環(huán)境影響